テラヘルツ関連マテリアル

Materials for TDS

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Zomega Terahertz 社ではテラヘルツ分光用に、ギャップ(300 μm, 1 mm, 2 mm 厚)、BBO 結晶、InAs ウェハを製造しています。

ギャップ

ギャップ

* GAP110-300 マウントギャップ:
  <110>, 10 mm x 10 mm, 300 μm 厚, 800 nm AR コーティング
* ZNTE110-1 マウントギャップ: <110>, 11 mm x 10 mm, 1 mm 厚
* ZNTE110-2 マウントギャップ: <110>, 11 mm x 10 mm, 2 mm 厚
* ZNTE110 はいずれも 11 mm 側は結晶軸にアライメント済み

 

BBO 結晶 BBO-800

BBO 結晶 BBO-800

* サイズ 6 mm x 6 mm
* 厚さ 100 μm
* AR コーティング: 800 nm & 400 nm
* 1/2" 径リングマウント
* 開口径 6 mm

 

InAs ウェハ EMITTER-INAS

InAs ウェハ EMITTER-INAS

* p-type InAs ウェハチップ
* サイズ 5 mm x 5 mm
* 500 μm 厚
* サイズ偏差 ±0.1 mm
* 方位 <100>
* 添加濃度: 5 x 1016
* 両面研磨

 
*仕様は予告なく変更になる場合がございます。
標準価格: お問合せにより (株)インデコの営業部 から回答致します。

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