CW 赤外レーザダイオードチップ

CHIP Series

◆ 高出力パワー: 最大 6 W
◆ ハイダイナミックパワーレンジ
◆ 高効率

spec

CW 赤外レーザダイオードチップ

SemiNex 社では、高出力な CW 赤外レーザダイオードチップを製造しています。仕様に関しては、お客様のアプリケーションに最適化して提供いたします。

 
CW 赤外レーザダイオードチップ 特性表(例)
Model CHP-1470-
3-95
CHP-1470-
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CHP-1470-
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CHP-1470-
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● Optical
Chip Cavity Length, Typical 1500 μm 2500 μm 2500 μm 1500 μm 2500 μm
Output Power, CW, Po 3 W 6 W 5 W 2.5 W 5 W
Center Wavelength, λc 1470 nm 1470 nm 1532 nm 1550 nm 1550 nm
Emitter Width, W 95 μm 95 μm 95 μm 95 μm 95 μm
Emitter Height, H 1 μm 1 μm 1 μm 1 μm 1 μm
3dB Spectral Width, Δλ 15 nm 15 nm 15 nm 15 nm 15 nm
Slope Efficiency, ηo 0.5 W/A 0.5 W/A 0.54 W/A 0.5 W/A 0.5 W/A
Fast Axis Divergence,
θ_perp
25°FWHM 25°FWHM 25°FWHM 25°FWHM 25°FWHM
Slow Axis Divergence,
θ_parallel
8°FWHM 8°FWHM 8°FWHM 8°FWHM 8°FWHM
● Electrical
Power Conversion Efficiency, η 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5
Threshold Current, Ith 0.45 A 0.45 A 0.45 A 0.45 A 0.45 A
Operating Current, Iop 7 A 14 A 14 A 7 A 14 A
Operating Voltage, V op 1.5 V 1.8 V 1.8 V 1.5 V 1.8 V
Series Resistance, Rs 0.05 Ω 0.05 Ω 0.05 Ω 0.05 Ω 0.05 Ω
*仕様は予告なく変更になる場合がございます。
標準価格: お問合せにより (株)インデコの営業部 から回答致します。

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