780〜900 nm レーザダイオード

Infra-red Laser Diodes

◆ 高品質モードコレクション
◆ 低い消費電力
◆ 高効率
◆ アプリケーション： 固体レーザ励起、医療、材料プロセス、光測定

QSI 社の 780〜900 nm レーザダイオードは、サーモエレクトリッククーラ内蔵の TO-3 パッケージです。特注で TO-5 パッケージもご提供可能です。これら製品は、サーモエレクトリッククーラにより、熱的変化の影響を受けません。MOCVD（有機金属気相成長法）によるリアルインデックスガイドと QSI 社独自のウィンドウ設計により高出力を達成しています。

＊各モデルをクリックすると詳細仕様（PDF, 英語）がご覧いただけます。
＊最小購入数量は 10 個からになります。

Part No.	Top（℃）	Po	λp	I th	I op	FFH	FFV
QL 78 C 6 S A/B/C	-10〜60	3 mW	780 nm	20 mA	35 mA	11°	30°
QL 78 C 6 S A/B/C - L *1	-10〜60	3 mW	785 nm	13 mA	20 mA	10°	28°
QL 78 E 6 H G - Q	-10〜60	6 mW	788 nm	14 mA	38 mA	9°	31°
QL 78 F 6 D F - 1 *1	-10〜60	10 mW	788 nm	14 mA	25 mA	9°	31°
QL 78 F 6 S A/B/C	-10〜60	10 mW	788 nm	12 mA	22 mA	8°	31°
QL 78 I 6 S A/B/C	-10〜60	25 mW	785 nm	15 mA	45 mA	8°	30°
QL 80 R 4 S A/B/C/D/E - Z3 *1	-10〜40	200 mW	808 nm	60 mA	250 mA	7°	35°
QL 80 R 4 S A/B/C/D/E - Z4 *1	-10〜40	200 mW	808 nm	60 mA	250 mA	7°	35°
QL 80 S 4 H A/B/C - Y *1	-10〜40	500 mW	808 nm	100 mA	550 mA	8°	30°
QL 80 T 4 H A/B/C/D/E - Y *1	-10〜40	1000 mW	808 nm	250 mA	1100 mA	9°	30°
QL 85 D 6 S A/B/C	-10〜60	5 mW	850 nm	10 mA	20 mA	9°	32°
QL 85 F 6 S A/B/C	-10〜60	10 mW	850 nm	10 mA	25 mA	9°	32°
QL 85 H 6 S A/B/C	-10〜60	20 mW	855 nm	20 mA	55 mA	9°	32°
QL 85 J 6 S A/B/C - L	-10〜60	40 mW	855 nm	30 mA	75 mA	7°	27°
QL 86 T 4 H A/B/C/D/E	-10〜40	1000 mW	860 nm	280 mA	1300 mA	9°	30°
QL 90 F 7 S A/B/C	-10〜70	10 mW	905 nm	12 mA	35 mA	10°	35°

NOTE：
*1 -L： Low I_op　-1： 14μm pitch　-2： 200μm pitch　-Y： TM Mode　-Z： TE Mode
*2 Maximum
＊最小購入数量は 10 個からになります。
＊標準の極性は A タイプとなります。B タイプ及び C タイプは量産品のみの対応となります。別途お問合せください。

＊仕様は予告なく変更になる場合がございます。

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