パルスレーザダイオード
Pulsed Laser Diodes
◆ 波長： 905, 1550 nm
◆ 最大パワー：
210 W @ 905 nm, 25 W @ 1525 nm, 45 W @ 1550 nm
◆ 高効率
◆ 高い温度安定性
◆ モジュール 化対応
Laser Components 社では、905 nm 及び 1550 nm のハイパワー・パルスレーザダイオードを製造しています。
905 nm のシリーズは、AlGaAs 製で信頼性が高く、ビーム品質と温度安定性に優れています。エネルギー効率 1 W/A のスタックデバイスで、ピークパワー 120 W, パルス長 150 ns の出力が得られます。パッケージは、TO18, 5.6 mm, 9 mm, 8 to 32 Coax ハウジングまたは、セラミック サブマウントに取付けたチップ状でのご提供が可能です。ファイバカップリングも可能です。標準コア径は 105 μm です。
他波長や特注デザインについてもご相談承ります。
905 nm 帯では、高性能 マルチジャンクションタイプもご用意しています。シングルチップの出力パワーは 最高 75 W @ 150 ns です。パッケージはハーメチックシールド・高品質金属パッケージ（TO-18 or 5.6 mm）です。75 W 出力デバイスは、三つのエミッタによるエピタキシャル構造をもち、その発光エリアはわずか 235 x 10 μm です。ピークパワー 25 W, 発光エリア 85 x 10 μm または 50 W, 160 x 10 μm のタイプもございます。発光エリアが小さいので、ファイバカップリングにも適しています。
さらにマルチジャンクションタイプでは、スタックも可能です。905D1S3J09 シリーズは、210 W ものピークパワーを出力します。シングルチップと同様、発光エリアが小さいため、優れたパワー密度が得られ、高度計、LIDAR、距離測定など種々のアプリケーションに応用できます。
1550 nm のシリーズは、MBE 及び MOCVD 処理した InGaAsP 製です。効率は 0.35 W/A と850 nm 帯に比べ低効率ですが、非常に丈夫で高いダメージ閾値をもち、高い駆動電流にも耐えるため、ピーク 60 W の高い出力を得ることができます。
| ● Generic Characteristics at 21 ℃ |
| Part No. |
155G Series |
HI155H Series |
905D Series |
| Description |
|
high intensity |
|
multi-junction |
| Wavelength： |
Minimum |
1520 nm |
1500 nm |
895 nm |
| Typical |
1550 nm |
1525 nm |
905 nm |
| Maximum |
1580 nm |
1580 nm |
915 nm |
| Spectral Bandwidth |
12 nm（typ.） |
25 nm（typ.） |
5 nm（typ.） |
8 nm（typ.） |
| Temperature Coefficient
（nm/℃） |
0.6（typ.） |
0.35
（typ.）
0.7
（max.） |
0.27
（typ.） |
0.28
（typ.） |
| Beam Spread（typ.）： |
Parallel |
10°*1
|
12°*1 |
12°*1
|
13°*1 |
| Perpendicular |
- |
25
° |
- |
20° |
| Single Element |
30
° |
- |
25° |
- |
| Staks |
30
° |
- |
30° |
- |
| Reverse Voltage |
2 V（max.） |
6 V（max.） |
6 V（max.） |
6 V（typ.） |
| Pulse Duration（max.）： |
Single Element |
200 ns |
- |
1 μs |
150 ns |
| Staks |
150 ns |
150 ns |
200 ns |
100 ns |
| Duty Factor（max.） |
0.1 % |
0.1 % |
0.1 % |
0.1 % |
| Storage Temperature |
-55 to 100 ℃ |
| Operating Temperature
|
-45 to 85 ℃ |
| ● Wavelength = 905 nm（@ 21 ℃, 150 ns, 6.66 kHz） |
| Part No. |
Min. Power |
Package |
Emitting Area
（μm×μm） |
Iop |
Ith |
| 905D1S1.5X |
3 W |
5.6 mm,
TO-18 *2 |
37.5×1 |
3.5 A |
100 mA |
| 905D1S03X |
6 W |
75×1 |
7 A |
200 mA |
| 905D1S06X |
13 W |
150×1 |
15 A |
400 mA |
| 905D1S09X |
19 W |
230×1 |
22 A |
600 mA |
| 905D1S12X |
26 W |
300×1 |
30 A |
800 mA |
| 905D1S16X |
34 W |
400×1 |
40 A |
1200 mA |
| 905D2S06X |
25 W |
150×125 |
15 A |
400 mA |
| 905D3S09X |
55 W |
230×225 |
22 A |
600 mA |
| 905D3S12X |
70 W |
300×225 |
30 A |
800 mA |
| 905D4S12X |
90 W |
300×340 |
30 A |
800 mA |
| 905D4S16X |
130 W |
400×340 |
40 A |
1200 mA |
● Wavelength = 905 nm, Multi-junction Devices
（@ 21 ℃, 150 ns, 3.33 kHz, Preliminary Specifications） |
| Part No. |
Min. Power |
Package |
Emitting Area
（μm×μm） |
Iop |
Ith |
| 905D1S3J03X |
25 W |
5.6 mm,
TO-18 *2 |
85×10 |
11 A |
300 mA |
| 905D1S3J06X |
50 W |
160×10 |
22 A |
500 mA |
| 905D1S3J09X |
75 W |
235×10 |
30 A |
800 mA |
| 905D1S3J08X *3 |
70 W |
200×10 |
30 A |
750 mA |
| 905D2S3J08X *3 |
140 W |
200×125 |
30 A |
750 mA |
| 905D3S3J08X *3 |
210 W |
200×250 |
30 A |
750 mA |
| ● Wavelength = 1525 nm, High Intensity（@ 21 ℃, 150 ns, duty factor = 0.1 %） |
| Part No. |
Min. Power |
Package |
Emitting Area
（μm×μm） |
Iop |
Ith |
| HI155H1S02X |
7 W |
TO-18 *4 |
50×1 |
20 A |
0.3 A |
| HI155H1S04X |
10 W |
100×1 |
26 A |
0.6 A |
| HI155H1S06X |
12 W |
150×1 |
30 A |
0.9 A |
| HI155H1S14X |
25 W |
350×1 |
60 A |
2 A |
| ● Wavelength = 1550 nm（@ 21 ℃, 150 ns, duty factor = 0.1 %） |
| Part No. |
Min. Power |
Package |
Emitting Area
（μm×μm） |
Iop |
Ith |
| 155G1S02X |
3 W |
TO-18 *4 |
50×1 |
10 A |
0.4 A |
| 155G1S06X |
5 W |
150×1 |
20 A |
1 A |
| 155G1S14X |
12 W |
350×1 |
40 A |
1.5 A |
| 155G2S06X |
10 W |
150×150 |
20 A |
1 A |
| 155G4S14X |
45 W |
350×340 |
40 A |
1.5 A |
| ● Wavelength = 1550 nm, Multi-junction Devices（@ 21 ℃, 150 ns, duty factor = 0.1 %） |
| Part No. |
Min. Power |
Package |
Emitting Area
（μm×μm） |
Iop |
Ith |
| 155G1S2J02X |
5 W |
TO-18 *4 |
50×7 |
10 A |
0.4 A |
| ● Datasheet Download |
| Pulsed Laser Diodes Overview |
 （122.7 KB） |
| High Power Pulsed Laser Diodes 905-Series |
（439.7 KB） |
| High Power Pulsed Laser Diodes 905D3J08-Series |
（1.6 MB） |
| High Power Multi-Junction Pulsed Laser Diodes 905D1S3J0XX-Series |
（281.8 KB） |
| High End / Low Cost 905D1SXXUA-Series |
（685.8 KB） |
| High Power Pulsed Laser Diodes 905D3J09-Series |
（1.1 MB） |
| High Power Pulsed Laser Diodes 1550-Series |
（338.2 KB） |
| High Power Multi-Junction 1550 nm Pulsed Laser Diodes
155G1S2J0XX-Series |
（401.2 KB） |
| High Intensity Pulsed Laser Diodes 1550 HI-Series |
（545.5 KB） |
NOTE：
*1 to junction plane
*2 Option: 8/32 Coax, 9 mm, ceramic package
*3 at 21 ℃, 100 ns, 1 kHz
*4 Option: 9 mm, ceramic package
＊仕様は予告なく変更になる場合がございます。
Pulsed Laser Diodes for Industrial Applications（PDF, メーカーサイト）
Copyright（c） Laser Components GmbH., 2011
