APD モジュール

LCSA & LCIA Series

◆ 高感度
◆ 低ノイズ
◆ 単相 12 V DC 電源で取扱いが簡単
◆ コンパクト
◆ アプリケーション：
　APD 評価、距離測定／LIDAR、光通信システム、レーザスキャナ、分光、蛍光、メディカル

Laser Components 社の APD モジュールは、低ノイズの アバランシェフォトダイオード（APD） にプリアンプと高電圧電源を内蔵させた製品です。APD はシリコンまたは InGaAs 製です。非常に低い光量でも素早く検出でき、レーザレーダー、距離測定、データ転送、バイオメディカル分析など多くのアプリケーションに手軽に応用できます。
温度補正機能により、広い温度範囲で利得を一定に保ちます。 InGaAs 製 APD の活性領域は 200 μm 径で、検出波長範囲は 1000〜1650 nm です。シリコン製 APD の波長範囲は 400〜1100 nm、活性領域は 500 mm または 1.5 mm 径です。いずれも駆動バンド幅は DC 〜 25 MHz です。
この APD モジュールには、必要な全てのコンポーネントが、コンパクトなシールドハウジング（ca. 75 x 56 x 26 mm）に一つにされていますので、一般的な 12V DC 電源ですぐに駆動できます。
なお OEM やカスタム製造も承ります。ご相談ください。

● Datasheet Download
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● Absolute Maximum Ratings
Supply Volatage		Silicon： 0 to +13.5 VDc, InGaAs： +12 V（typ.）, +13.5 V（max.）
Operating Temperature		0 to +50 ℃
Storage Temperature		-20 to +70 ℃
Incident Light Level		10 mW（max., CW operation）
● Technical Specifications for 0.5 mm Si-APD-Module
Part Number		LCSA500-01	LCSA500-03	LCSA500-10	LCSA500-25
Wavelength *1		400〜1100 nm, Peak Sensitivity 905 nm
Active Area, φ		0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm
Detector Type		SAR500x	SAR500x	SAR500x	SAR500x
Bandwidth, -3dB		DC ~ 1 MHz	DC ~ 3 MHz	DC ~ 10 MHz	DC ~ 25 MHz
Resposivity：	@ 540 nm	300 MV/W	30 MV/W	3.0 MV/W	0.3 MV/W
	@ 650 nm	450 MV/W	45 MV/W	4.5 MV/W	0.45 MV/W
	@ 905 nm	550 MV/W	55 MV/W	5.5 MV/W	0.55 MV/W
NEP（pW/√Hz）：	@ 540 nm	0.003	0.010	0.015	0.056
	@ 650 nm	0.002	0.007	0.011	0.033
	@ 905 nm	0.002	0.005	0.009	0.030
Output Noise Dnesity		1000 nV/√Hz	300 nV/√Hz	50 nV/√Hz	15 nV/√Hz
Input Referred Noise Density		0.10 pA/√Hz	0.30 pA/√Hz	0.50 pA/√Hz	1.50 pA/√Hz
● Technical Specifications for 1.5 mm Si-APD-Module
Part Number		LCSA1500-01	LCSA1500-03	LCSA1500-10	LCSA1500-25
Wavelength *1		400〜1100 nm, Peak Sensitivity 905 nm
Active Area, φ		1.5 mm	1.5 mm	1.5 mm	1.5 mm
Detector Type		SAR1500x	SAR1500x	SAR1500x	SAR1500x
Bandwidth, -3dB		DC ~ 1 MHz	DC ~ 3 MHz	DC ~ 10 MHz	DC ~ 25 MHz
Resposivity：	@ 540 nm	300 MV/W	30 MV/W	3.0 MV/W	0.3 MV/W
	@ 650 nm	450 MV/W	45 MV/W	4.5 MV/W	0.45 MV/W
	@ 905 nm	550 MV/W	55 MV/W	5.5 MV/W	0.55 MV/W
NEP（pW/√Hz）：	@ 540 nm	0.003	0.010	0.015	0.056
	@ 650 nm	0.002	0.007	0.011	0.033
	@ 905 nm	0.002	0.005	0.009	0.030
Output Noise Dnesity		1000 nV/√Hz	300 nV/√Hz	50 nV/√Hz	15 nV/√Hz
Input Referred Noise Density		0.10 pA/√Hz	0.30 pA/√Hz	0.50 pA/√Hz	1.50 pA/√Hz
● Technical Specifications for 200 μm InGaAs-APD-Module
Part Number		LCIA200-01	LCIA200-03	LCIA200-10	LCIA200-25
Wavelength *1		1000〜1650 nm, Peak Sensitivity 1550 nm
Active Area, φ		0.2 mm	0.2 mm	0.2 mm	0.2 mm
Detector Type		IAE200x	IAE200x	IAE200x	IAE200x
Bandwidth, -3dB		DC ~ 1 MHz	DC ~ 3 MHz	DC ~ 10 MHz	DC ~ 25 MHz
Resposivity @ 1550 nm		100 MV/W	10 MV/W	1.0 MV/W	0.1 MV/W
NEP（pW/√Hz） @ 1550 nm		0.010	0.030	0.050	0.150
Output Noise Dnesity		1000 nV/√Hz	300 nV/√Hz	50 nV/√Hz	15 nV/√Hz
Input Referred Noise Density		0.10 pA/√Hz	0.30 pA/√Hz	0.50 pA/√Hz	1.50 pA/√Hz

NOTE：
* Noise measured at 100 kHz.
*1 @ T = 25 ℃

＊仕様は予告なく変更になる場合がございます。

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Copyright（c） Laser Components GmbH., 2011