アバランシェフォトダイオード
APD◆ 波長： 400〜1100 nm（Si 製）, 1000〜1650 nm（InGaAs 製）
◆ Si 製： 高感度／高速立上り／ラージエリア
◆ InGaAs 製： 高いノイズ比／最大バンド幅 2.5 GHz
◆ アプリケーション：
距離測定、速度測定、レーザレーダー、スキャナ、分光、
フォトンカウンティング、蛍光測定、LIDAR、通信
■ Si 製 アバランシェフォトダイオード SA シリーズ
Laser Components 社は、2004 年から低コストで高品質なシリコン製 APD を製造しています。アクティブエリアは 直径 230μm 〜 3.0 mm です。特注で 5, 10, 16 mm のラージエリアタイプもご提供可能です。複数のタイプをご用意しておりますので、広いアプリケーションに最適な製品をご提供できます。
SAE シリーズはエピタキシャル構造で、赤色領域または NIR 領域で使用できます。低価格で、非常に大きなゲインとダイナミックレンジを特長としています。
SAR シリーズは、400〜1100 nm 範囲で高い感度をもつリーチスルー構造ベースの APD です。また立上り／立下りが非常に高速で、約 450 ps です。さらに低ノイズで、暗電流も抑えられます。
SAP シリーズは、通常のリニアモード（VR < VbR）に加え、ガイガーモード（VR > VbR）で動作するので、単一光子の検出に使用できます。非常に高い量子効率と低ノイズを達成しています。
SARP シリーズは、ガイガーモード（VR > VBR）におけるフォトンカウンティングに最適なシリーズで、シングルフォトンによりアバランシェインパルスを 約 108 チャージキャリアでトリガリングできます。
SARF シリーズはフィルタ内蔵です。シリコン製 APD の主要なアプリケーションの一つが、 TOF 法ベースの距離測定システム（LIDAR）です。TOF 法では、905 nm のパルスレーザダイオード光を対象で反射させ、 APD チップ上にフォーカシングします。この際最良の S/N 比を得るには、外部にバンドパスフィルタを置き、周囲の光をブロックする必要があります。Laser Components 社の SARF シリーズにはこのフィルタがハウジングに内蔵されています。レンズキャップ、TEC 付きフィルタ、SMD ハウジングといったオプションもございます。
■ InGaAs 製 アバランシェフォトダイオード IAE & IAG シリーズ
Laser Components 社の InGaAs 製 アバランシェフォトダイオードは、波長域 1100〜1700 nm で、高いノイズ比とバンド幅をもちます。活性領域が 30〜50 μm と小さいモデルの最大バンド幅は 2.5 GHz です。暗電流が非常に低いため、主にテレコム分野で使用されます。よりラージエアリアタイプ（80〜200 μm）は、距離などの測定用途に便利です。
標準ハウジングは TO-46 で、ハイブリッドシステムへの組込みに便利なセラミックサブマウント付きでもご提供可能です。ファイバピッグテール付きでもご提供可能です。
IAE080x では静電容量 約 1 pF で、その結果最小バンド幅 1 GHz が得られます。IR 領域の微弱シグナルを検出でき、アイセーフ領域での距離測定に貢献することができます。
| ● Si - EPI - APDs | |||
| Part Number | SAE230Nx | SAE500Nx | SAE500Vx |
| Diameter | 230 μm | 500 μm | 500 μm |
| Wavelength Range | 550〜1050 nm | 550〜1050 nm | 400〜1000 nm |
| Peak Sensitivity | 905 nm | 905 nm | 650 nm |
| Responsivity *1 | 50 A/W | 50 A/W | 38 A/W |
| Package | S2, S3, M8, F3 | S2, S3, M8, L3, F3 | S2, S3, L3, M8 |
| Vbr | 150〜300 V | 150〜300 V | 150〜300 V |
| Vbr TC | 0.6 V/℃ | 0.6 V/℃ | 0.2 V/℃ |
| Id | 1 nA | 1.5 nA | 10 nA |
| Noise | 0.2 pa/√Hz | 0.2 pa/√Hz | 0.6 pa/√Hz |
| Capacitance | 1 pF | 2 pF | 4 pF |
| Rise Time | 500 ps | 500 ps | 450 ps |
| ● Si - Reach Through APDs | |||||||
| Part Number | SAR 500x |
SARP 500x |
SARP 500T6 |
SARF 500F2 *2 |
SAR 1500x |
SAR 3000x |
SAT 3000x |
| Diameter | 500 μm | 500 μm | 500 μm | 500 μm | 1500 μm | 3000 μm | 3000 μm |
| Wavelength Range（nm） |
400~1100 | 400~1100 | 400~1100 | 880~930 | 400~1100 | 400~1100 | 700~1100 |
| Peak Sensitivity | 905 nm | 905 nm | 905 nm | 905 nm | 905 nm | 905 nm | 980 nm |
| Responsivity *1 | 60 A/W | 60 A/W | 60 A/W | 10 A/W | 60 A/W | 60 A/W | 34 A/W *3 |
| Package | S2, S3, F3 | S2, S3 | T6（TEC） | F2 | G1, T6 | E1, T6 | E1, T6 |
| Vbr（V） | 170~350 | 170~350 | 170~350 | 400（typ.） | 300（typ.） | 300（typ.） | 400（typ.） |
| Vbr TC | 1 V | 1 V | 1 V | 2.5 V | 2 V | 2 V | 2.5 V |
| Id | 1.5 nA | 0.5 nA | 0.5 nA | 1 nA | 0.75 nA | 1 nA | 1 nA |
| Noise | < 1 | < 0.2 | TBA | 0.05 | 0.3 | 0.5 | 0.5 |
| Capacitance | 1.5 pF | 1.5 pF | 1.5 pF | 1 pF | 4 pF | 7 pF | 10 pF |
| Rise Time | 450 ps | 450 ps | 450 ps | 3000 ps | 500 ps | 500 ps | 3000 ps |
| ● Si - Giger Mode APDs | |||
| Part Number | SAP500xx | SAP500Txx | |
| Wavelength Range（nm） | 400〜1100 nm | 400〜1100 nm | |
| Peak Sensitivity | 700 nm（typ.） | 700 nm（typ.） | |
| Diameter | 500 μm（typ.） | 500 μm（typ.） | |
| Field of View *5 | 100°（typ.） | 100°（typ.） | |
| Breakdowm Voltage, VBR @ Id = 10 μA | 125 V（typ.） | 125 V（typ.） | |
| Temperature Coefficient of VBR for Constant Gain @ M = 250 |
0.35 V/℃（typ.） | 0.35 V/℃（typ.） | |
| Detector Temperature | 22 ℃（typ.） | 0 ℃（T6, typ.） -20 ℃（T8, typ.） |
|
| Gain | 250 | 250 | |
| Responsivity @ M = 250 | @ 900 nm | 85 A/W（typ.） | 85 A/W（typ.） |
| @ 830 nm | 110 A/W（typ.） | 110 A/W（typ.） | |
| Quantum Efficiency： | @ 900 nm | 51 %（typ.） | 51 %（typ.） |
| @ 830 nm | 65 %（typ.） | 65 %（typ.） | |
| Dark Current, Id @ M = 250 | 1000 pA（typ.） | 200 pA（T6, typ.） 70 pA（T8, typ.） |
|
| Noise Current, id @ M = 250 | 90 fa/Hz1/2（typ.） | 40 fa/Hz1/2（T6, typ.） 20 fa/Hz1/2（T8, typ.） |
|
| Capacitance, Cd @ M = 250 | 3.3 pF（typ.） | 3.3 pF（typ.） | |
| Rise Time, tr, @ M = 250, RL = 50Ω, λ = 830 nm, 10〜90 % Ppoints |
0.5 ns（typ.）, 0.75 ns（max.） |
0.5 ns（typ.） | |
| Fall Time, tf, @ M = 250, RL = 50Ω, λ = 830 nm, 10〜90 % Ppoints |
0.5 ns（typ.）, 0.75 ns（max.） |
0.5 ns（typ.） | |
| Dark Current at 5 % Photon Detection Probability, 830 nm, Case Temperature of 22 ℃ |
10000 cps（typ.）, 15000 cps（max.） |
5000 cps（typ., T6） 2000 cps（typ., T8） |
|
| Voltage above VBR for 5 % Photon
Detection Probability, 830 nm |
2 V（typ.） | 2 V（typ.） | |
| After-pulse Ratio at 5 % Photon
Detection Probability, 830 nm, 22 ℃ |
2 %（typ.）, 15 %（max.） | 2 %（typ.） | |
| ● InGaAs - APDs | |||||
| Part Number | IAG 080X | IAG 200X | IAG 350X | IAE 080X | IAE 200X |
| Active Diameter | 80 μm（typ.） | 200 μm（typ.） | 350 μm（typ.） | 80 μm | 200 μm |
| Wavelength Range | 1000〜1630 nm | 1000〜1630 nm | 1000〜1630 nm | 1000〜1650 nm | 1000〜1650 nm |
| Peak Sensitivity | 1550 nm | 1550 nm | 1550 nm | 1550 nm | 1550 nm |
| Responsivity *4 | 0.90 A/W（typ.） | 0.90 A/W（typ.） | 0.94 A/W（typ.） | 10 A/W | 10 A/W |
| Package | S5, S6, S7, T6, T8, Y1 | S5, S6, Y | S5, S6, Y | ||
| Vbr | 40〜80 V | 80〜83 V | 35〜70 V | 40〜65 V | 40〜65 V |
| Vbr TC | 0.06 V/℃（typ.） | 0.075 V/℃（typ.） | 0.075 V/℃（typ.） | 0.1 V/℃ | 0.1 V/℃ |
| Id | 1 nA（typ.） | 8 nA（typ.） | 190 nA（typ.） | 12 nA | 40 nA |
| Noise | 0.01（typ.） | 0.032（typ.） | 0.12（typ.） | < 0.4 | < 0.8 |
| Capacitance | 0.35 pF（typ.） | 1.5 pF（typ.） | 4.1 pF（typ.） | 1 pF | 2.5 pF |
| Rise Time | - | - | - | 350 ps | 700 ps |
| ● Absolute Maximum Ratings | ||
| APDs | Si-APDs | InGaAs-APDs |
| Storage Temperature | -55 to 100 ℃ | -40 to 85 ℃ |
| Operating Temperature | -30 to 75 ℃ | -40 to 75 ℃ |
| Reverse Current | 200 μA（CW, max.）, 1 mA（1 sec., max.） | 100 μA（CW, max.）, 1.6 mA（1 sec., max.） |
| Forward Current | 5 mA（CW, max.）, 50 mA（1 sec., max.） | 5 mA（CW, max.）, 10 mA（1 sec., max.） |
| Max. Power Dissipation | 60 mW（max.） | - |
| Soldering | 200 ℃（for 5 sec., max.） | 200 ℃（for 5 sec., max.） |
| ● Datasheet Download | ||
| Overview | PDF, 112.3 KB | |
| SAE-Series（Si, 230μm, 500μm, Red-Enhanced） | PDF, 589.2 KB | |
| SAE-Series（Si, 230μm, 500μm, NIR-Enhanced） | PDF, 759.9 KB | |
| SAR-/SARP-Series（Si, 500μm, 1.5 mm, 3.0 mm） | PDF, 525.3 KB | |
| SAR1500x/3000x（Si, 500μm, 1.5 mm, 3.0 mm） | PDF, 1.1 MB | |
| SAP Series（Silicon Geiger Mode, for Photon Counting） | PDF, 387.6 KB | |
| SARF Series （500μm with 905 nm Bandpass-Filter） | PDF, 354.8 KB | |
| LA APD（3 mm, 5 mm, 10 mm, 16 mm） | PDF, 1.1 MB | |
| IAG Series（InGaAs） | PDF, 550.9 KB | |
| IAE Series（InGaAs） | PDF, 649.5 KB | |
*1 @ M = 100, λpeak
*2 specifications @ M = 18,905 nm
*3 @ 1060 nm
*4 @ M = 1, 1550 nm wavelength
*5 Approximate full angle for totally illuminated photosensitive surface.
＊仕様は予告なく変更になる場合がございます。
Avalanche Photodiodes（PDF, メーカーサイト）
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