BBO 製 ポッケルスセル
PBC Series◆ 波長域： 220 nm 〜 2.1 μm
◆ 高出力対応
◆ 高い温度安定性
◆ 低いピエゾエレクトリック･リンギング
BBO は高い平均出力で使用できる上、高い温度安定性、低いピエゾエレクトリック･リンギング 1,2 といった高い性能をもつ電気光学結晶です。また BBO 結晶は広い透過範囲を特長としており、多種多様なアプリケーションでご利用いただけます 3。
結晶の対称性と、無電場における光ビームの複屈折を防ぐため、INRAD, a PPGI Company 社の BBO 製 ポッケルスセルは結晶軸を垂直にとっています。
特性表に記載されている標準品以外にも、特注設計をいたします。
■ 単一 BBO 結晶 ポッケルスセル PBC05
1"径、2"長のコンパクトなハウジングの単一結晶ポッケルスセルで、INRAD, a PPGI Company 社の BBO 製 ポッケルスセルの標準モデルです。小型のバナナコネクタで電気接続します。特に PBC05-DC03 のアパーチャ径は 2.5 mm と小さく、四分波電圧は 1064 nm で 3.4 kV です。PBC05-DC04 は、アパーチャ径 3.5 mm で、四分波電圧は 1064 nm で 4.8 kV です。セルのシングルパスの透過率は、規定波長で > 98 % です。
■ デュアル BBO 結晶 ポッケルスセル PBC06
二個の結晶を用いたポッケルスセルで、PBC05 よりもアパーチャ径は大きくなります。
ピエゾエレクトリック･リンギングの比較
三つの図は、平行においたポラライザ対の間に各ポッケルスセルを設置して、633 nm のテストレーザビームの透過をオシロスコープで測定したものです。各セルに四分波電圧 * をかけると、透過光強度を半減し、音響効果をより多く発生します。このデータでは、1→ はグランドまたは光強度 0 を示します。
BBO を用いたときのリンギングは、KD*P, LiNbO3 よりも小さくなっています。
＊四分波電圧： Vλ/4 = λd /（ 4r22 no3 l）
三つの図は、平行においたポラライザ対の間に各ポッケルスセルを設置して、633 nm のテストレーザビームの透過をオシロスコープで測定したものです。各セルに四分波電圧 * をかけると、透過光強度を半減し、音響効果をより多く発生します。このデータでは、1→ はグランドまたは光強度 0 を示します。
BBO を用いたときのリンギングは、KD*P, LiNbO3 よりも小さくなっています。
＊四分波電圧： Vλ/4 = λd /（ 4r22 no3 l）
| d：電極間距離 | l： 結晶長さ |
| r22： 電気光学係数 4 | λ： 波長 |
BBO
KD*P
LiNbO3
左の図は、典型的なダブルパス構成の BBO の、四分波電圧における透過率を示したものです。スイッチングは、高電圧ドライバの最大周波数 5 kHz で行っています。
下方の曲線はレーザビームを遮ったときの測定値です。
下方の曲線はレーザビームを遮ったときの測定値です。
1. G.D.Goodno, Z.Guo, R.J.D.Miller, I.J.Miller, J.W.Montgomery, S.R.Adhav, and R.S.Adhav, Investigation of β-BaB2O4 as a Q switch for high power applications, Appl. Phys.Lett. 66（13）, 1575（1995）.
2. E.Cheung, S.Palese, H.Injeyan, C.Hoefer, J.Ho, R.Hilyard, H.Komine, J.Berg, and W.Bosenberg, High Power Conversion to Mid-IR Using KTP and ZGP OPOs, OSA TOPS Volume 26, page 514, Advanced Solid State Lasers（1999）.
3. S.J.Hamlin, R.Wu, L.A.Bosworth, J.A.Hutchinson, L.T.Marshal, and T.Caughey, BBO Electro-optical Q-switch @ 1.54 μm, OSA TOPS Volume 19, page 171, Advanced Solid State Lasers（1998）.
4. H.Nakatani, W.Bosenberg, L.K.Cheng, and C.L.Tang, Linear electro-optic effect in barium metaborate, Appl. Phys.Lett. 52（16）, 1288（1988）.
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| Datasheet | Click HERE !（PDF） | |
| Model | Description | Aperture |
| PBC03-DC516/248 | BBO Pockels Cell, with AR coated windows, dry cell, for 248 nm operation | 5 x 16 mm |
| PBC04-DC710/1064 | BBO Pockels Cell, with AR coated windows, dry cell, for IR nm operation | 7.5 x 10 mm |
| PBC05-DC03/1064 | BBO Pockels Cell, with AR coated windows, dry cell | 2.5 mm |
| PBC05-DC04/1064 | 3.5 mm | |
| PBC06-DC04/1064 | BBO Pockels Cell, dual crystal, with AR coated windows, dry cell | 3.5 mm |
| PBC06-DC06/1064 | 5.5 mm | |
| Model | PBC05- DC04/1064 |
PBC05- DC03/1064 |
PBC06- DC06/1064 |
PBC06- DC04/1064 |
| Aperture Diameter | 3.5 mm | 2.5 mm | 5.5 mm | 3.5 mm |
| Wavelength Range | 0.22〜2.1 μm | 0.22〜2.1 μm | ||
| Transmission @ Specific λ | > 98 % T | > 97 % T | ||
| Capacitance | 3pF | 5pF | ||
| Quarter-Wave Voltage @ 1064 nm | 4.8 kV | 3.6 kV | 3.6 kV | 2.4 kV |
| Intrinsic Contrast @ 1064 nm | > 1000 : 1 | > 500 : 1 | ||
| Damage Threshold *1 | > 500 MW/cm2 @ 1064 nm, 10 ns | |||
*1 Damage Threshold values are for reference only and are not guaranteed.
* Our standard 3.5 mm aperture is 1064 nm. Custom wavelengths are available.
＊仕様は予告なく変更になる場合がございます。
標準 1064 nm AR コーティング付き BBO の反射曲線
標準価格： お問合せにより （株）インデコの営業部 から回答致します。
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