ポッケルスセル

PxC Series

◆ 高品質＆高速応答
◆ 220 nm 〜 4 μm 以上
◆ レーザキャビティの Q スイッチに最適

電気光学的ポッケルスセルは、光ビームの偏光方向を素早くスイッチングするのに用いられます。例えばレーザキャビティの Qスイッチ、再生アンプからまたは再生アンプへのカップリングまたはポラライザ対と光強度モジュレーションとの接続に使用されます。ポッケルス効果は適切な電場において屈折率の大きな直線的変化をもたらす電子効果であるため、音響光学素子よりもはるかに速い応答が得られます。
INRAD, a PPGI Company 社のポッケルスセルは、位相変調に用いることも可能ではありますが、位相変調用に設計されたデバイスほど高効率は得られません。
電場のない状態でビームが複屈折をおこさないようにするため、INRAD, a PPGI Company 社の標準的なポッケルスセルでビームは単一結晶の光学軸にそって伝播します。

ポッケルスセルとして用いる最適な結晶材料は、使用波長と、ダメージ閾値、取扱い可能な平均出力、対比率、消光比、繰返し周波数といった必要な性能で決定します。INRAD, a PPGI Company 社では以下のポッケルスセルをご用意しております。

調整には ジンバルマウント が便利です。またお客様のご指定の仕様でも製造いたします。

KD^*P は、UV 〜 1.1μm のアプリケーションでよく使用されます。1.1μm 付近では吸収があるため、アクティブキャビティにおける使用が制限されます。しかし数 % 程度の吸収で問題ない場合には、さらに長波長でもお使いいただけます。

LiNbO₃ は、1064 nm 以上の長波長で用いられます。光の伝播方向に対して直角に設定された電場をもつポッケルスセルは、結晶の厚さや長さを選択することで 1064 nm において KD^*P よりも低電圧で駆動できます。LiNbO₃ は半波電圧が非常に高くはなりますが、4.0μm 以上の赤外光に最適です。INRAD, a PPGI Company 社では、ピエゾエレクトリック･リンギングを劇的に少なくし、より高い繰返し周波数で使用できるダンプ LiNbO₃ ポッケルスセルをご用意しております。

BBO は、UV 〜 約 2μm の波長領域向きです。KD^*P や LiNbO₃ よりも電気光学係数は小さくなっていますが、高い平均出力で使用できます。そのため BBO は一般的に高電圧が必要とされます。電圧条件を低く抑えるため、結晶長さはより長く、薄く（開口サイズは小さくなります）しています。


1 2 3 4 5 - 6 7 8 9 / xxxx nm / D

1 -	全ポッケルスセルに対して P がつきます
2 -	K： KD*P,　L： LiNbO3,　B： BBO
3 -	C： capacitive,　M： impedance matched
45 -	二桁のモデル番号
67 -	DC： dry cell,　SG： sol gel coating,　FC： fluid filled cell with FC-43
89 -	mm 単位でセルの開口サイズを示す二桁のモデル番号
/xxxx -	使用波長
/D -	ピエゾエレクトリカル･ダンプ LiNbO3 セルを示す

● ポッケルスセルドライバ

●ジンバルマウント

ポッケルスセル Model	対応ジンバルマウント
PKC21-XX09	815-430 / 1.375
PBC05	815-430 / 1.00
PBC06	815-430 / 1.25
PKC02-XX09, PKC02-XX15, and PKC02-XX20	815-540
PLC01 and PLC01/D	815-540

KD^*P 製 ポッケルスセル
LiNbO₃ 製 ポッケルスセル
BBO 製 ポッケルスセル

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Copyright（c） INRAD, a PPGI Company, 2010