バルク型/導波路型 PPXX チップ

PPXX Bulk/Waveguide

◆ 擬似位相整合(QPM)による高利得・高効率波長変換
◆ OPG, SHG, DFG, SFG, OPO またはコンビネーションによる発振波長コントロール可能
◆ マスクの特注デザイン対応
◆ 低価格・高品質

spec

バルク型 PPXX チップ

バルク型 PPXX チップ

HC Photonics 社の PPLN バルクデバイスは、擬似位相整合(QPM)技術により、周期的な分極反転構造を形成し、広い波長域(400〜4500 nm)をもちます。


アプリケーション
・フリースペース フルスペクトル 波長コンバータ
・RGB レーザ
・IR/Mid-IR レーザ製作
・SHG/SFG/DFG/OPG/OPO/OPA, アップ&ダウン変換プロセス
・UV 領域 レーザ製作
・一次 or 高次 波長変換
・パルス or 高エネルギーレーザ変換プロセス


標準品は こちら をご参照ください。

 

導波路型 PPXX チップ

導波路型 PPXX チップ

HC Photonics 社の導波路型 PPXX チップは、周期的な分極反転を利用した導波路で、通常の非線形結晶よりも高いミキシング効果が得られます。入力はパルスだけに限定されません。DWDM や OTDM といった通信用途にも最適です。

ファイバカップリング、フリースペースのご指定が可能です。またこれら結晶の 温度制御装置 もご用意しています。
また標準仕様、カスタム仕様、OEM 仕様などお客様のアプリケーションに合わせて対応いたします。(株)インデコの営業部 までご相談ください。

 
バルク型/導波路型 PPXX チップ 特性表
Product Bulk Waveguide
Material PPMgO:LN & PPMgO:LT PPMgO:LN
Wavelength, Output UV to THz UV to IR
Pulse Width fs, ps, ns & CW fs, ps, ns & CW
Power Level mW to kW single photon, mW, W
Nonliearity deff > 15 pm/V -
Normalized Efficiency - > 250 %/W/cm2 @ 1 μm
Coupling Efficiency - ≧50 % (AR coated)
Configuration SHG, SFG, DFG, OPG, OPA, OPO,
SHG + SFG, SHG + OPG, ...
SHG, SFG
Chip Length 1〜80 mm 1〜50 mm
Chip Thickness 0.5/0.75/1/2/3 mm 0.5 mm
Operating Temperature room temp. to 250 ℃ room temp. to 250 ℃
Phase Matching Type 0 (e-e-e), Type I (e-o-e/o-o-e...) Type 0 (e-e-e)
Duty Cycle 〜50/50 or customized 〜50/50 or customized
Polishing flat, angle, brewster flat, angle
Thin Film, Coating anti-refrection & high-reflection anti-refrection & high-reflection
QPM Pattern single, multiple, fan-out, cascade,
chirped (APLN) or customized
single, multiple, chirped
*仕様は予告なく変更になる場合がございます。
バルクチップ
バルクミキサ QPM パターン
導波路型チップ
導波路ミキサ QPM パターン
 
標準価格: お問合せにより (株)インデコの営業部 から回答致します。
テクニカルインフォメーション
PPXX チップ セレクションガイド
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