ゲルマニウムフォトディテクタ

Germanium Photodetectors

◆ 検出エリア 0.1～13 mm, 円形 or 正方形
◆ 豊富なパフォーマンスラインナップ
◆ TE クーラー＆デュワ付きモデル有り
◆ ハイパワー対応フィルタウィンドウ付きモデル有り
◆ カスタムパッケージ／サブマウント可能

米国 GPD Optoelectronics 社では、ゲルマニウム PN または PIN ディテクタを製造しています。豊富な標準品に加えて、特注製造も承っております。
ゲルマニウムディテクタは近赤外領域に感度をもち、InGaAs に比べて低価格で、ラージエリアです。また高い光入力レベルまでリニアな応答が得られます。

２カラーの Si/Ge デュアルディテクタもございます。

ゲルマニウムフォトディテクタ　特性表

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● Ge PN Detectors ^*1
Model		GM2	GM2HS	GM2VHS	GM2VHR
Active Dia.		0.5 mm sq.
*Shunt Res. ^2：**	Min.	30 kΩ	100 kΩ	250 kΩ	550 kΩ
*Shunt Res. ^2：**	Max.	60 kΩ	150 kΩ	350 kΩ	900 kΩ
*Dark Current, Max. ^3**		2.0 μA	1.0 μA	0.7 μA	0.5 μA
Test Reverse Bias		10 V	3.0 V	0.3 V	0.3 V
Max. Reverse Volts		15 V	5.0 V	0.5 V	0.5 V
Capacitance @ Vr, Max.		27 pF	55 pF	200 pF	250 pF
NEP		1.0 pW/√Hz	0.3 pW/√Hz	0.2 pW/√Hz	0.1 pW/√Hz
*Cut-off Freq. ^4**		120 MHz	60 MHz	35 MHz	30 MHz
Model		GM3	GM3HS	GM3VHS	GM3VHR
Active Dia.		0.1 mm
*Shunt Res. ^2：**	Min.	120 kΩ	350 kΩ	1500 kΩ	2000 kΩ
*Shunt Res. ^2：**	Max.	180 kΩ	500 kΩ	2500 kΩ	3000 kΩ
*Dark Current, Max. ^3**		1.0 μA	0.3 μA	0.1 μA	0.1 μA
Test Reverse Bias		10 V	3.0 V	0.3 V	0.3 V
Max. Reverse Volts		15 V	5.0 V	0.5 V	0.5 V
Capacitance @ Vr, Max.		2.0 pF	6.0 pF	8.0 pF	12 pF
NEP		0.3 pW/√Hz	0.1 pW/√Hz	0.1 pW/√Hz	0.1 pW/√Hz
*Cut-off Freq. ^4**		1500 MHz	500 MHz	350 MHz	250 MHz
Model		GM4	GM4HS	GM4VHS	GM4VHR
Active Dia.		0.3 mm
*Shunt Res. ^2：**	Min.	60 kΩ	250 kΩ	400 kΩ	900 kΩ
*Shunt Res. ^2：**	Max.	80 kΩ	400 kΩ	650 kΩ	1600 kΩ
*Dark Current, Max. ^3**		1.5 μA	0.4 μA	0.2 μA	0.2 μA
Test Reverse Bias		10 V	3.0 V	0.3 V	0.3 V
Max. Reverse Volts		15 V	5.0 V	0.5 V	0.5 V
Capacitance @ Vr, Max.		10 pF	25 pF	60 pF	60 pF
NEP		0.6 pW/√Hz	0.3 pW/√Hz	0.2 pW/√Hz	0.15 pW/√Hz
*Cut-off Freq. ^4**		300 MHz	120 MHz	80 MHz	80 MHz
Model		GM5	GM5HS	GM5VHS	GM5VHR
Active Dia.		1.0 mm
*Shunt Res. ^2：**	Min.	20 kΩ	60 kΩ	200 kΩ	330 kΩ
*Shunt Res. ^2：**	Max.	40 kΩ	100 kΩ	280 kΩ	450 kΩ
*Dark Current, Max. ^3**		3.0 μA	1.5 μA	0.5 μA	0.5 μA
Test Reverse Bias		10 V	2.0 V	0.3 V	0.3 V
Max. Reverse Volts		15 V	3.0 V	0.5 V	0.5 V
Capacitance @ Vr, Max.		65 pF	300 pF	1800 pF	1800 pF
NEP		1.5 pW/√Hz	0.5 pW/√Hz	0.3 pW/√Hz	0.3 pW/√Hz
*Cut-off Freq. ^4**		55 MHz	10 MHz	2.0 MHz	2.0 MHz
Model		GM6	GM6HS	GM6VHS	GM6VHR
Active Dia.		2.0 mm
*Shunt Res. ^2：**	Min.	6 kΩ	30 kΩ	80 kΩ	120 kΩ
*Shunt Res. ^2：**	Max.	12 kΩ	60 kΩ	120 kΩ	200 kΩ
*Dark Current, Max. ^3**		10 μA	3.0 μA	1.0 μA	1.0 μA
Test Reverse Bias		10 V	2.0 V	0.3 V	0.3 V
Max. Reverse Volts		15 V	3.0 V	0.5 V	0.5 V
Capacitance @ Vr, Max.		300 pF	1200 pF	9000 pF	9000 pF
NEP		2.0 pW/√Hz	0.8 pW/√Hz	0.4 pW/√Hz	0.4 pW/√Hz
*Cut-off Freq. ^4**		17 MHz	1.0 MHz	0.6 MHz	0.6 MHz
Model		GM7	GM7HS	GM7VHS	GM7VHR
Active Dia.		3.0 mm
*Shunt Res. ^2：**	Min.	4 kΩ	25 kΩ	40 kΩ	65 kΩ
*Shunt Res. ^2：**	Max.	8 kΩ	35 kΩ	65 kΩ	90 kΩ
*Dark Current, Max. ^3**		30 μA	4.0 μA	3.0 μA	2.0 μA
Test Reverse Bias		5.0 V	1.0 V	0.25 V	0.25 V
Max. Reverse Volts		10 V	3.0 V	0.5 V	0.5 V
Capacitance @ Vr, Max.		800 pF	4000 pF	13000 pF	13000 pF
NEP		3.0 pW/√Hz	1.0 pW/√Hz	0.6 pW/√Hz	0.6 pW/√Hz
*Cut-off Freq. ^4**		4.0 MHz	0.7 MHz	0.2 MHz	0.2 MHz
Model		GM8	GM8HS	GM8VHS	GM8VHR
Active Dia.		5.0 mm
*Shunt Res. ^2：**	Min.	2 kΩ	10 kΩ	15 kΩ	20 kΩ
*Shunt Res. ^2：**	Max.	4 kΩ	15 kΩ	20 kΩ	30 kΩ
*Dark Current, Max. ^3**		40 μA	15 μA	5 μA	5 μA
Test Reverse Bias		3.0 V	1.0 V	0.1 V	0.1 V
Max. Reverse Volts		5.0 V	3.0 V	0.3 V	0.3 V
Capacitance @ Vr, Max.		3000 pF	6000 pF	35000 pF	35000 pF
NEP		4.0 pW/√Hz	2.0 pW/√Hz	1.0 pW/√Hz	1.0 pW/√Hz
*Cut-off Freq. ^4**		1.6 MHz	0.5 MHz	0.1 MHz	0.1 MHz
Model		GM10HS	GM13HS	GM5TEC1	GM8TEC2
Active Dia.		10 mm sq.	13 mm	1.0 mm	5.0 mm
*Shunt Res. ^2：**	Min.	2.0 kΩ	1.0 kΩ	-	-
*Shunt Res. ^2：**	Max.	3.5 kΩ	2.0 kΩ	300 kΩ	60 kΩ
*Dark Current, Max. ^3**		50 μA	100 μA	0.2 μA	1.0 μA
Test Reverse Bias		0.5 V	0.5 V	5.0 V	1.0 V
Max. Reverse Volts		1.0 V	1.0 V	7.0 V	2.0 V
Capacitance @ Vr, Max.		30000 pF	50000 pF	65 pF	3000 pF
NEP		4.0 pW/√Hz	8.0 pW/√Hz	0.4 pW/√Hz	1.0 pW/√Hz
*Cut-off Freq. ^4**		0.1 MHz	0.05 MHz	55 MHz	1.6 MHz
● Ge PIN Detectors
Model			GEP600	GEP700	GEP800
Shunt Resistance			2K	1K	0.7K
Reverse Voltage			10 V	10 V	10 V
Dark Current, Max.			30 μA	55 μA	70 μA
Capacitance, Typ.			50 pF	110 pF	450 pF
Bandwidth -3 dB, R_L = 50Ω			60 MHz	25 MHz	10 MHz
Risetime, R_L = 50Ω			3 ns	6 ns	15 ns
Case Style, Standard			TO-5	TO-5	TO-8
Active Diameter			2 mm	3 mm	5 mm

NOTE：
*1 VHR series: Designed for zero reverse bias applications requiring high shunt resistance.
VHS series: Designed for zero reverse bias applications.
HS series: Designed for < 5 V reverse bias applications.
GM series: Designed for high speed applications with reverse bias > 10 V.
TEC series: Mounted on a one- or two-stage thermoelectric cooler for low-noise applications.
*2 @ Vr = 10 mV
*3 @ Vr = V test
*4 @ Vr, 50ΩR_L

＊仕様は予告なく変更になる場合がございます。

標準価格：お問合せにより（株）インデコの営業部から回答致します。

ゲルマニウム フォトディテクタ

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