Ge アバランシェ フォトダイオード

Ge Avalanche Photodiodes

◆ 検出エリア 40 100 μm
◆ 応答性（1300 nm） 0.3, 3.0 V
◆ 量子効率（ピーク） 0.7, 1.0 μA
◆ アプリケーション： OTDR、赤外センシング、テレコム、光通信、短距離通信／データコム受信

米国 GPD Optoelectronics 社では、近赤外領域に感度をもつゲルマニウム製アバランシェフォトダイオードを製造しています。通信関連をはじめ、OTDR、赤外センシングに最適です。検出エリアや応答性の異なる三種類のモデルからお選びいただけます。

Model	GAV40	GAV100
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● Electrical Characteristics @ 25 ℃
Quantum Efficiency, Peak	1.0 μA	0.7 μA
Responsivity @ 1300 nm	3.0 V	0.3 V
Breakdown Voltage *1	5.0 V	0.5 V
Dark Current @ 0.9 Vb	55 pF	200 pF
Capacitance @ 20 V *2	0.3	0.2
Multiplied Dark Current	60 MHz	35 MHz
Cutoff Frequency, -3dB	0.3 μA	0.1 μA
Excess Noise Figure	3.0 V	0.3 V
Excess Noise Factor	5.0 V	0.5 V
Temperature Coefficient of Vb	6.0 pF	8.0 pF
● Physical Specifications
Active Diameter	40 μm	100 μm
Case Styles	TO-46 (modified)/TO-46 SM and MM pigtail, active mounts and ceramic substrates
● Maximum Ratings
Storage Temperature	-40 to 85 ℃	-40 to 85 ℃
Operating Temperature	-10 to 60 ℃	-10 to 60 ℃
Reverse Current	0.4 mA	1.0 mA
Forward Current	80 mA	100 mA

NOTE：
*1 I_R = 100 mA
*2 f = 1 MHz

＊仕様は予告なく変更になる場合がございます。

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Copyright（c） GPD Optoelectronics Corp., 2010