オプティカルディテクタ

Optical Detectors

11.28 mm 径アパーチャオプティカルディテクタ PH シリーズにアッテネータ付きモデル登場
（2011年8月）

Gentec-EO 社では、パワーまたはエネルギーの測定に使用できるオプティカルディテクタを製造しています。エネルギーは数フェムトジュールから、パワー測定では数ピコワットからの微弱信号を検出できます。ヘッドにエレクトロニクスを内蔵したスタンドアローンタイプから、標準的なセンサタイプまでご用意しています。

オプティカルディテクタ　製品ラインナップ

Model	Pmax	Pmin	Emax	Emin	λmin	λmax	Ssensor Type	Aperture
PH5B-Ge	2 mW	10 pW	N/A	N/A	1 μm	1.7 μm	Germanium	5 mm φ
PH10B-Si	2 mW	10 pW	N/A	N/A	190 nm	1.1 μm	Silicon	10 mm φ
PH3B-In	200 μW	10 pW	N/A	N/A	900 nm	1.6 μm	InGaAs	3 mm φ
PH100-Si	30 mW	600 pW	N/A	N/A	300 nm	1.1 μm	Silicon	11.28 mm φ
PH100-Si-OD1	300 mW	6 nW	N/A	N/A	400 nm	1.1 μm	Silicon	11.28 mm φ
PH100-Si-OD2	750 mW	60 nW	N/A	N/A	630 nm	1.1 μm	Silicon	11.28 mm φ
PH100-SiUV	2.8 mW	600 pW	N/A	N/A	200 nm	900 nm	UV-Silicon	11.28 mm φ
PH100-SiUV-OD1	25 mW	6 nW	N/A	N/A	400 nm	900 nm	UV-Silicon	11.28 mm φ
PH100-SiUV-OD2	30 mW	60 nW	N/A	N/A	630 nm	900 nm	UV-Silicon	11.28 mm φ
PH20-Ge	30 mW	2 nW	N/A	N/A	800 nm	1.65 μm	Germanium	5 mm φ
PH20-Ge-OD1	300 mW	20 nW	N/A	N/A	900 nm	1.65 μm	Germanium	5 mm φ
PH20-Ge-OD2	500 mW	200 nW	N/A	N/A	950 nm	1.65 μm	Germanium	5 mm φ
PE3B-Si	N/A	N/A	2 nJ	2 fJ	190 nm	1.1 μm	Silicon	3 mm φ
PE5B-Si	N/A	N/A	20 nJ	500 fJ	190 nm	1.1 μm	Silicon	5 mm φ
PE10B-Si	N/A	N/A	2 μJ	2 pJ	190 nm	1.1 μm	Silicon	10 mm φ
PE5B-Ge	N/A	N/A	20 nJ	500 fJ	1 μm	1.7 μm	Germanium	5 mm φ
PE3B-In	N/A	N/A	2 nJ	5 fJ	900 nm	1.6 μm	InGaAs	3 mm φ
TRAP7-Si-C-BNC	2 mW	100 pW	N/A	N/A	200 nm	980 nm	Silicon	7 mm φ
TRAP7-Si-D-BNC	2 mW	100 pW	N/A	N/A	200 nm	980 nm	Silicon	7 mm φ

＊仕様は予告なく変更になる場合がございます。

標準価格：お問合せにより（株）インデコの営業部から回答致します。