フェムトワット・フォトレシーバ

FWPR-20 Series

◆ 超低ノイズ：最小 NEP 0.7 fW/√Hz
◆ 高利得（最高 10¹² V/A）のトランスインピーダンスアンプ内蔵
◆ 波長域： 320～1700 nm
◆ アプリケーション：
　蛍光測定、分光、電気泳動、クロマトグラフィー、
　フォトマルチプライアチューブ（PMT）, アバランシェフォトダイオード（APD）,
　液体窒素冷却 Ge 製フォトダイオードの置換え

Femto 社のフェムトワット・フォトレシーバは、低ノイズな Si または InGaAs フォトダイオードと、非常にゲインが高く（最高 10¹² V/A）低ノイズなトランスインピーダンスアンプと組合わせたフォトレシーバです。これにより、非常に低い NEP 値（最小 0.7 fW/√Hz）と、フェムトワットレンジの高い感度を達成しています。フォトレシーバ単体での検出では光パワー最小約 50 fW まで、さらに Femto 社製ロックインアンプを組合わせればサブフェムトワットの高い感度が得られます。
非常に高感度なので、多くのアプリケーションで使用されている APD, PMT, 冷却 Ge フォトダイオードの代替品として、高価な高電圧電源や冷却装置を付加することなく利用できます。

Si 製モデルの FWPR-20-SI は、波長域 320～1100 nm です。特にシグナルが数十 ms 以上のフォトンカウンタのように、タイミングがさほど重要視されないアプリケーションに有効で、APD ベースの単一光子カウンティングモジュールと同等の高い量子効果と S/N 比が得られます。

InGaAs 製モデルの FWPR-20-IN の波長域は 900～1700 nm で、高価で取扱いが困難な外部アンプ付液体窒素冷却 Ge ディテクタベースシステムの置き換えに便利です。低ノイズでゲインの高いアンプシグナルが内蔵されているため、フォトレシーバ単体でボルト（V）レンジのシグナルを得ることができます。

フェムトワット・フォトレシーバ　特性表

Model	FWPR-20-SI	FWPR-20-IN
Photodiode	1.1 mm x 1.1 mm Si	φ0.5 mm InGaAs PIN
Spectral Range	320～1100 nm	900～1700 nm
Bandwidth, -3dB	DC ～ 20 Hz	DC ～ 20 Hz
Rise/Fall Time, 10～90 %	18 ms	18 ms
Transimpedance Gain	1 x 10¹² V/A	1 x 10¹¹ V/A
Max. Conversion Gain	0.6 x 10¹² V/W @ 960 nm	0.95 x 10¹¹ V/W @ 1550 nm
Min. NEP @ 1 MHz	0.7 fW/√Hz @ 960 nm	7.5 fW/√Hz @ 1550 nm
Download Datasheet	（207KB）	（204KB）

NOTE：
* Output voltage ±10 V max（@ > 10 kΩ load）. Threaded M4 and 8-32 mounting holes for integration in optical bench systems. Offset adjustable by trimpot. Fiber-optic input optionally available. Output short-circuit protected. Power supply via 3-pin LEMO socket. A mating connector is provided with the device. Optional power supply PS-15 available. For further information please view the datasheet.

＊仕様は予告なく変更になる場合がございます。

標準価格：お問合せにより（株）インデコの営業部から回答致します。

ロックインアンプ