2 GHz フォトレシーバ

HSA-X-S Series

◆ Si & InGaAs 製フォトダイオード
◆ 波長域： 320～1700 nm
◆ バンド幅： 10 kHz ～ 2 GHz
◆ 最大変換利得： 4.8 x 10³ V/W
◆ 最小 NEP：約 14 pW/√Hz
◆ アプリケーション：
　分光、オプティカルトリガ、高速パルス, トランジェント測定、
　オシロスコープ, A/D コンバータ用光フロントエンド

Femto 社の HSA-X-S シリーズは、最先端のフォトダイオードと Femto 社製 GHz アンプの技術を組合わせた高性能な 2 GHz フォトレシーバです。ダイオードタイプは Si 製または InGaAs 製で、波長域はそれぞれ 320～1000 nm と 850～1700 nm です。Si 製モデルの HSA-X-S-1G4-SI は、ディテクタチップの前面にボールレンジを配置し、活性領域直径は 0.8 mm です。
トランスインピーダンスは 5 x 10³ V/A です。最小 NEP はわずか 14 pW/√Hz で、μW レンジの光パワーレベルでも測定できます。

2 GHz フォトレシーバ　特性表

Model	HSA-X-S-1G4-SI	HSA-X-S-2G-IN
Photodiode	eff. φ0.8 mm Si PIN	eff. φ0.2 mm InGaAs PIN
Spectral Range	320～1000 nm	850～1700 nm
Bandwidth, -3dB	10 kHz ～ 1.4 GHz	10 kHz ～ 2 GHz
Rise/Fall Time, 10～90 %	250 ps	180 ps
Transimpedance Gain	5 x 10³ V/A	5 x 10³ V/A
Max. Conversion Gain	2.5 x 10³ V/W @ 760 nm	4.8 x 10³ V/W @ 1550 nm
Min. NEP @ 1 MHz	26 pW/√Hz @ 760 nm	14 pW/√Hz @ 1550 nm
Download Datasheet	（217KB）	（207KB）

NOTE：
* Output voltage 2 Vp-p max.（@ 50Ω load）. Threaded M4 and 8-32 mounting holes for integration in optical bench systems. Fiber-optic input optional. Output short-circuit protected. Power supply +15 V via 3-pin LEMO socket. A mating connector is provided with the device. Optional power supply PS-15 available. For further information please view the datasheet.

＊仕様は予告なく変更になる場合がございます。

標準価格：お問合せにより（株）インデコの営業部から回答致します。

高速 GHz アンプ