200 MHz フォトレシーバ

HCA-S-200M Series

◆ Si or InGaAs 製フォトダイオード
◆ 波長域： 320～1700 nm
◆ バンド幅： real DC to 200 MHz
◆ 最大変換利得： 2 x 10⁴ V/W
◆ 最小 NEP：約 6 pW/√Hz
◆ アプリケーション：
　分光、オプティカルトリガ、高速パルス, トランジェント測定、
　オシロスコープ, 超高速ロックインアンプ, A/D コンバータ用光フロントエンド

Femto 社の HCA-S-200M シリーズは、高速フォトダイオードと Femto 社製高速カレントアンプの技術を組合わせた 200 MHz フォトレシーバです。
ダイオードタイプは Si 製または InGaAs 製の二種類で、波長域はそれぞれ 320～1000 nm と 900～1700 nm です。トランスインピーダンスは 2 x 10⁴ V/A で、最大変換利得は InGaAs モデルで 1550 nm で 2 x 10⁴ V/W です。洗練された DC カップルマルチステージアンプ設計により、最小立上り時間 1.8 ns に相当するバンド幅 DC ～ 200 MHz の測定ができます。最小 NEP 値は約 6 pW/√Hz で、μWレンジの光パワーシグナルも余計な平均化を行うことなく検出できます。

Femto 社では、標準の製品ラインナップに加えて、アプリケーションに最適な仕様（バンド幅、ゲイン、応答性など）をもつ特注フォトレシーバを一個から製造いたします。（株）インデコの営業部までご相談ください。

200 MHz フォトレシーバ　特性表

Model	HCA-S-200M-SI	HCA-S-200M-IN
Photodiode	φ0.8 mm Si PIN	φ0.3 mm InGaAs PIN
Spectral Range	320～1000 nm	900～1700 nm
Bandwidth, -3dB	DC ～ 200 MHz	DC ～ 200 MHz
Rise/Fall Time, 10～90 %	1.8 ns	1.8 ns
Transimpedance Gain	2 x 10⁴ V/A	1.9 x 10⁴ V/A
Max. Conversion Gain	1.1 x 10⁴ V/W @ 800 nm	1.9 x 10⁴ V/W @ 1550 nm
Min NEP @ 1 MHz	10 pW/√Hz @ 800 nm	6 pW/√Hz @ 1550 nm
Download Datasheet	（327KB）	（300KB）

NOTE：
* Output voltage ±0.8 V max.（@ 50Ω load）. Threaded M4 and 8-32 mounting holes for integration in optical bench systems. Offset adjustable by trimpot. Fiber-optic input and AC-coupling optional. Output short-circuit protected. Power supply via 3-pin LEMO socket. A mating connector is provided with the device. Optional power supply PS-15 available. For further information please view the datasheet.

＊仕様は予告なく変更になる場合がございます。

標準価格：お問合せにより（株）インデコの営業部から回答致します。

高速カレントアンプ